静止式进相器可控硅的结构和特性的简单介绍

静止式进相器可控硅的结构和特性的详细信息

静止式进相器可控硅的结构和特性

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

一、可控硅的结构和特性

可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的应用较多。

可控硅有三个电极－阳极（A)阴极（C)和控制极（G).它有管芯是P 型导体和N 型导体交选组成的四层结构，共有三个PN 结。

可控硅和只有一个PN 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。单公板可控砖的工作原理。

二、可控硅的主要参数可控硅的主要参数有：

1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极－阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关心状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极－阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。